Моделирование характеристик тока-напряжения (I-V) и напряжения питания (P-V) сочинение пример

ООО "Сочинения-Про"

Ежедневно 8:00–20:00

Санкт-Петербург

Ленинский проспект, 140Ж

magbo system

Сочинение на тему Моделирование характеристик тока-напряжения (I-V) и напряжения питания (P-V)

Аннотация: в этом документе имитируется математическая модель PV (фотоэлектрического) модуля на основе файла сценария MATLAB с учетом всех параметров. Моделирование этого устройства факторов окружающей среды, таких как облучение и температура потребности в качестве входных переменных. Мощность фотоэлектрического модуля варьируется в зависимости от факторов окружающей среды. Любые изменения в записях немедленно подразумевают изменения в выводе. Физические параметры (сопротивление серии и шунта, коэффициент идеальности, температурный коэффициент тока и напряжения и т. Д.) Оказывают существенное влияние на рабочие кривые солнечного фотоэлектрического модуля. Выбранная модель представляет собой модель с одним диодом с последовательным и шунтирующим сопротивлением для точного вывода и исследует все параметры, влияющие на работу солнечного фотоэлектрического модуля, и фокусируется на программе, разработанной в файле MATLAB / M для фотоэлектрического модуля 50 Вт. При сравнении двух результатов, полученных в результате моделирования программы, и в таблицах данных изготовителя они совпадают.

Ключевые слова: солнечная энергия, фотоэлектрический модуль, I-V и P-V характеристики, освещенность, температура

1. Введение

Ценная энергия может извлекаться из нашего окружения несколькими способами. К ним относятся извлечение энергии из солнечного света, ветра, биомассы, уровня моря и т. Д. Все эти способы возобновляемы в природе. Сам источник энергии обновляется, что может обеспечить энергию навсегда. Среди всех стратегий использования возобновляемых источников энергии фотоэлектрическая система обладает рядом фундаментальных преимуществ по сравнению с другими. Используя полупроводниковые приборы, солнечная энергия идентифицируется как статическая, бесшумная и бесшумная альтернативная энергия, которая может привести к долговременной и низкой стоимости возобновляемой системы.

Солнечные батареи могут напрямую преобразовывать солнечный свет в электричество. Это производит постоянное напряжение и постоянное электричество. Фотоэлектрический модуль состоит из множества солнечных элементов, которые соединены последовательно или параллельно, в зависимости от желаемой величины напряжения или тока. Типичная фотоэлемент может выдавать 0,5 В (2-3 Вт). Фотоэлектрический модуль является фундаментальной единицей преобразования фотоэлектрической генераторной системы. Таким образом, необходимо моделировать фотоэлектрический модуль для проектирования и моделирования отслеживания точки максимальной мощности (MPPT) для приложений фотоэлектрической системы, поскольку фотоэлектрический модуль имеет нелинейные характеристики. Для заданных условий окружающей среды существует точка максимальной мощности (MPP), оптимальная точка на кривой V-I, где достигается максимальная выходная мощность. Таким образом, на MPP эффективность будет оптимизирована. Производительность фотоэлектрического модуля указана в Стандартных условиях испытаний (STC), где мощность излучения составляет 1000 Вт / м2, температура модуля составляет 25 ° C, а масса воздуха – 1,5. В данной статье представлен метод моделирования и моделирования фотоэлектрического (PV) модуля. Параметры для модуля PV основаны на значениях спецификаций производителей.

2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ МОДУЛЯ… .PV

Солнечный элемент является основной единицей солнечного модуля. Фотоэлектрический модуль состоит из множества солнечных элементов, соединенных последовательно и параллельно. Для рассмотрения только одного солнечного элемента, он может быть смоделирован с использованием источника тока, диода и двух резисторов. Эта модель представляет собой модель с одним диодом солнечного элемента.

Диод подключен антипараллельно фототоку на рисунке 2, а выходной ток получен по закону Кирхгофа;

<Р> (1)

Где, фототок, ток в шунтирующем резисторе, ток насыщения диода и определяется уравнением;

<Р> (2)

Где, V – напряжение, приложенное к диоду. является током насыщения диода, является тепловым напряжением его исключительной зависимости от температуры. количество фотоэлементов, соединенных последовательно А является идеальным фактором диода, и это зависит от технологии фотоэлемента. [2]

<Р> (3)

Где – фактическая температура элемента (K), k – постоянная Больцмана (1,3805 × 10–23 Дж / К), а q – заряд электрона (1,6021 × 10–19 С). Таким образом, выходной ток составляет

<Р> (4)

Мощность, выделяемая одним фотоэлементом, меньше и недостаточна практически для любых применений. Таким образом, ячейки могут быть сконфигурированы в последовательные и параллельные функции для увеличения возможностей всех фотоэлектрических систем. Уравнение (4) может быть выражено как;

<Р> (5)

Где, как и количество элементов, соединенных параллельно, а также сопротивление серии и шунта солнечного элемента.

  • НАЙТИ ПАРАМЕТРЫ

    Моделирование фотоэлектрических устройств, если число неизвестных параметров увеличивается, результаты далеки от идеальной формы. Большинство таблиц производителя не предоставляют достаточно информации о параметрах, которые зависят от погодных условий. Существует пять параметров (,, A,,), которые рассматриваются в зависимости от облучения и температуры ячейки. Коэффициент идеальности (A) для кремния выбран равным 1,3. [2]

  • НЕЛИНЕЙНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОДУЛЯ PV

    Выход модуля PV нестабилен при изменении погодных условий. Таким образом, надлежащие нелинейные методы, такие как простой метод с фиксированной точкой, метод Ньютона-Рафсона и метод Секанта, должны использоваться для этих нестабильных условий. В этой предложенной модели выбран метод Ньютона-Рафсона.

    (20)

    В котором есть фактическая сумма функции, является производной функции, является текущей суммой и это следующая сумма. Метод Ньютона-Рафсона нуждается в одном итерационном цикле, который продолжает свою работу, пока не будет выполнено условие точки остановки.

    (21)

    Зависит от насыщения, условия остановки двумя различными способами. is:

    (1) Как только заданные числа итераций выполнены

    (2) Когда текущая ошибка, которая может быть получена с помощью уравнения (21), меньше, чем предварительно ошибка [5]

    Параметры Значения

    Максимальная мощность (Pmax) 50 Вт

    Допуск мощности ± 3%

    Максимальное напряжение питания (Vmp) 17,9 В

    Максимальный ток питания (Imp) 2,79 А

    Напряжение разомкнутой цепи (Voc) 22,1 В

    Ток короткого замыкания (Isc) 2,97 А

    Максимальное системное напряжение 1000 В постоянного тока

    Рабочая температура от -40˚C до + 85˚C

    Применение продукта класса A

    Вес 4,5 кг

    Размер 760x510x30 мм

    Все технические данные при стандартных условиях испытаний: AM = 1,5,

    G = 1000 Вт / м², T = 25˚C.

    5. ФАЙЛ MATLAB SCRIPT ДЛЯ PV МОДУЛЯ

    %% Информация из таблицы солнечных модулей RL-6P050 / 18 %%

    clear; clc;

    Vocn = 22,1; % Номинальное напряжение холостого хода (В)

    Iscn = 2,97; % Номинальный ток короткого замыкания (A)

    Vmp = 17,9; % Максимальное напряжение (В)

    Imp = 2,79; % Максимальный ток (A)

    Например = 1,12; % Энергии запрещенной зоны (эВ)

    Np = 1; % Количество параллельных ячеек

    Ns = 36; % Количество серийных ячеек

  • Pmax_e = Vmp * Imp; % Максимальная выходная мощность модуля (Вт)

    Ki = 0,0013; % Температурный коэффициент тока (A / K)

    Kv = -0,0079;% температурный коэффициент напряжения (V / K)

    Gn = 1000; % Номинальная освещенность (Вт / м²)

    Tn = 298; % Номинальная рабочая температура (K)

    Tc = Ta + 273; % Температура ячейки (K)

    %% Constants %%

    k = 1,3805 * 10 ^ (- 23); % Постоянной Больцмана (Дж / К)

    q = 1,6021 * 10 ^ (- 19); % Электронного заряда (C)

    A = 1,3; % Диодный фактор идеальности

    Vtn = (k * Tn) / q; % Напряжение теплового перехода (номинальное)

    Vt = (k * T) / q; % Напряжение теплового перехода (текущая температура)

    G = вход (‘G:’); % Фактическая освещенность (Вт / м²)

    Ta = вход (‘Ta:’); % Фактическая температура (K)

    %% Контрольные значения Rs и Rp %%

    Rs_max = (Vocn-Vmp) / Imp;

    Rp_min = Vmp / (Iscn-Imp) -Rs_max;

    Rs = 0; % Начальное значение Rs

    Iph = (Iscn + Ki * (T-Tn)) * G / Gn; % Номинальный фототок (A)

    Ion = Iscn / (exp (Vocn / (A * Ns * Vt)) – 1); % Номинальный ток насыщения диода (A)

    Io = Ион * (Tc / Tn) ^ (3) * exp ((q * Eg) / (k * A) * (1 / Tn-1 / Tc));

    % обратный ток насыщения диода (A)

    error = Inf; % dummy value

    %% Итеративный процесс для Rs и Rp до Pmax = Pmax, ex %%

    while (ошибка> 0,001)

    Rs = Rs + 0,01; % Прироста Rs

    Rp = (Vmp + (Imp * Rs)) / (Iscn- (Iscn * exp ((Vmp + (Imp * Rs) – (Vocn) / (A * Ns * Vt))) + (Iscn * exp (-Vocn / (A * Ns * Vt))) – (Pmax_e / Vmp);% сопротивление шунта

    V = 0: 0,1: 50; вектор напряжения%

    I = нули (1, размер (V, 2));% Текущий вектор

    %% Решить с помощью метода Ньютона-Рафсона %%

    для j = 1: размер (V, 2)

    g (j) = Np * Iph-I (j) -Np * Io * exp ((V (j) + (I (j) * Rs)) / (A * Ns * Vt) -1) – ((Np / Ns * V (j)) + (I (j) * Rs)) / Rp;

    while (abs (g (j))> 0,001)

    g (j) = Np * Iph-I (j) -Np * Io * exp ((V (j) + (I (j) * Rs)) / (A * Ns * Vt) -1) – ((Np / Ns * V (j)) + (I (j) * Rs)) / Rp;

    f (j) = -1- (Np * Io * Rs) / (A * Ns * Vt) * exp ((V (j) + (I (j) * Rs)) / (A * Ns * Vt));

    I_ (j) = I (j) – g (j) / f (j);

    I (j) = I_ (j);

    end

    end

    P = (Np * Iph-Io * (exp ((V + I. * Rs) / (A * Ns * Vt)) – 1) – (V + I. * Rs) / Rp). * V;% Расчетная мощность

    Pmax_m = max (P);

    ошибка = Pmax_m-Pmax_e;

    end

    6. РЕЗУЛЬТАТЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ PV МОДУЛЯ

    Повышение температуры вокруг солнечного элемента оказывает негативное влияние на способность выработки электроэнергии. При понижении температуры (от 25 ° C до 100 ° C) кривые I-V и P-V модуля PV смещаются влево и резко падают, хотя ток остается постоянным. Это приводит к чистому снижению выходной мощности с увеличением температуры. Таким образом, максимальная мощность также уменьшается с повышением температуры.

    Влияние излучения на характеристики напряжение-ток (IV) и напряжение-напряжение (PV) можно увидеть на рис.6 и рис.7 , При изменении освещенности (от 200 Вт / м² до 1000 Вт / м²) ток фотоэлектрического модуля резко увеличивается, а напряжение также немного увеличивается. Таким образом, фото генерируемый ток прямо пропорционален освещенности. Поскольку влияние на ток и напряжение положительное, а влияние на мощность также положительное. Следовательно, чем больше облучение солнечного элемента, тем больше вырабатывается энергии.

    7. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

    Представленная статья представляет собой моделирование фотоэлемента и модуля, реализованных в файле MATLAB / M. В этой статье видно, что выходные параметры фотоэлектрического модуля можно варьировать в зависимости от температуры их ячейки и облучения. Также результаты моделирования сопоставляются с техническими данными производителя. Это важно для вычисления и потому, что экспериментальная максимальная выходная мощность не совпадает с расчетной в большинстве случаев. Таким образом, итерационный процесс и соответствующий итерационный метод должны использоваться для сопоставления. итеративно увеличивается до условия совпадения. В предложенной модели показано (= 0,22 Ω и = 621,7 Ω) и результат (= 49,933 Ω) имеет большую точность с таблицей данных (= x = 49,941 Ω). Поэтому эту модель можно использовать для изучения всех типов коммерческих фотоэлектрических модулей и определения всех необходимых параметров в новых условиях освещенности и температуры, а затем получить характеристики I-V и P-V.

    8. БЛАГОДАРНОСТИ

    Автор хотел бы поблагодарить моего научного руководителя д-ра Най Вин Зау, заведующего кафедрой электронной инженерии, и всех преподавателей из Западно-Янгонского технологического университета, которые давали советы, полное руководство и поддержку для завершения этого. бумага.

    Зарегистрируйся, чтобы продолжить изучение работы

      Поделиться сочинением
      Ещё сочинения
      Нет времени делать работу? Закажите!

      Отправляя форму, вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности и обработкой ваших персональных данных.